KSE350STU-ONSEMI_安森美半导体_MOS
制造商:onsemi
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-126-3
晶体管极性:PN
集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V
集电极—基极电压 VCBO:300 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
最大直流电集电极电流:500 mA
Pd-功率耗散:20 W
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
集电极连续电流:- 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min:30
直流电流增益 hFE 最大值:240
高度:11 mm
长度:8 mm
工厂包装数量:
单位重量:761 mg
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