SIS412DN-T1-GE3/VISHAY/威世/MOS
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:12 A
Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:8 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:10 W
系列:SIS
封装:Reel
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
下降时间:10 ns
正向跨导 - 最小值:17 S
产品类型:MOSFET
上升时间:10 ns, 12 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:13 ns, 15 ns
典型接通延迟时间:5 ns, 15 ns
单位重量:1 g
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