0.5A输出电流
8至35 V电源电压范围
外部可编程电流
限制
非耗散过电流保护
热关机
HYS TERESYS欠压闭锁
电压过低、温度过高和过高的诊断输出
当前
外部异步复位输入
过载诊断的预设延迟
开放接地保护
浪涌保护（IEC 805-1）
抗突发瞬态（IEC 801-4）
ESD保护（人体模型±2千伏）
说明
这个装置是单片智能电源驱动用多功率BCD开关技术感应、电容或电阻负载。CPU反馈诊断和广泛使用电气保护装置使该装置具有很强的不可破坏性，适用于一般的工业应用。
电气特性（Vs=24V；Tj=-25至125°C；除非另有规定。）直流操作
输入段
输入和异步复位
兼容宽电压范围的TTL/CMOS高抗扰度（得益于内置的hys teresis）可供选择。过热保护（OVT）一种片上过温保护在极端情况下对设备提供了极好的保护条件。当芯片中央部分测得的温度超过Tmax=150 C（典型值）设备关闭，诊断输出变低。当芯片温度（通常在几秒钟后）降至以下时，恢复正常操作Tmax Thys=130摄氏度（典型值）。迟滞避免间歇性行为发生。
欠压保护（UV）
电源电压预计在8到35 V。在这个范围内，设备工作正常。低于8 V时，必须认为整个系统不可靠。为了避免任何故障持续监控电源电压，以提供欠压保护。当Vs下降时，Vsth Vshys较低（通常为7.5 V，见图1）输出功率MOS关闭，DIAG out输出变低。正常操作恢复为一旦Vs超过Vsth。迟滞特性可防止低电源下的间歇性运行电压。
过流运行
为了实施短路保护输出功率MOS以线性模式驱动以限制Isc值的输出电流。这个Isc限制是可通过外部1/4 W进行外部设置从Rsc引脚和GND连接的电阻器。这个电阻值必须根据以下公式：Isc（A）=5/Rsc（千欧）具有5<Rsc<30（千欧）为Rsc<5（千欧）Isc限制为Isc=1.1A（典型值）。这种情况（电流限制为Isc值）持续一吨时间间隔，可以通过电容器（Cdon）连接到ON根据以下公式延迟引脚：Ton=1.28毫秒/pF对于50pF<Cdon<2nF吨间隔过期后，输出功率MOS在Toff时间间隔内关闭：Toff=64
当Toff时间间隔到期时，输出功率MOS接通。现在可能会出现两种情况-过载仍然存在。在这种情况下，输出功率MOS再次以线性模式驱动（限制Isc的输出电流）再增加一吨，开始新的循环，或-过载条件消除，输出功率MOS不再线性驱动模式。所有这些情况都出现在诊断图上销（见图2）。我们称这种独特的功能为耗散短路保护，即使在永久性的情况下也能保证非常安全的运行过载情况。请注意，当然，请为吨间隔选择最合适的值（即Cdon电容器的值）延迟将防止在DIAG输出上出现误导性的短路信息，当驱动电容性负载时（表现为短路最开始的电路）或白炽灯灯（冷灯丝的电阻很低值）。
无耗散短路保护
禁用（保持Ton=0，但有输出只需将电流限制在地上。感应负载的消磁L6377有一个内部箝位齐纳二极管能够消磁感应负载。请注意限制来自于包可以处理。必须注意正确的电路板热设计。如果，出于什么原因（负载电流或感应值也是大）峰值功率损耗太高，外部齐纳二极管配置，会形成对地或对地消磁Vs（见图5和图6）。击穿电压选择外部齐纳二极管时，必须考虑内部箝位电压（Vcl）和电源电压（Vs）根据：Vz<Vcl（最小值）-Vs（最大值）对地消磁或Vs（最大）<Vz<Vcl（最�。┩舜臯s
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